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碳化硅晶片的退火方法百度學(xué)術(shù)姜濤,嚴(yán)成鋒,孔海寬本發(fā)明涉及一種碳化硅晶片的退火方法,包括將經(jīng)初加工的碳化硅晶片置于退火爐中,在惰性氣體或還原性氣體的保護(hù)下,緩慢升溫小時(shí)優(yōu)選小時(shí)退火溫度碳化硅晶片的發(fā)展之路年月日這些年來(lái),天科合達(dá)致力于提高碳化硅晶體的質(zhì)量,以及大尺寸碳化硅晶體的研發(fā),將先進(jìn)的碳化硅晶體生長(zhǎng)和加工技術(shù)產(chǎn)業(yè)化,大規(guī)模生產(chǎn)和銷(xiāo)售具有自主知識(shí)產(chǎn)

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中國(guó)成功研制英寸碳化硅晶片年產(chǎn)萬(wàn)片年月日當(dāng)前碳化硅主要應(yīng)用于三大領(lǐng)域高亮度電力電子以及先進(jìn)雷達(dá)。將先進(jìn)的碳化硅晶體生長(zhǎng)和加工技術(shù)產(chǎn)業(yè)化,大規(guī)模生產(chǎn)和銷(xiāo)售具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的碳化硅